Samara Portal Technology, Computers

Самарский портал "Технологии, компьютеры"

Samsung Electronics, мировой лидер в сфере полупроводниковых технологий, объявляет о начале массового производства микросхем с применением усовершенствованного 14-нанометрового технологического процесса LPP (Low-Power Plus). Это второе поколение 14-нм технологии изготовления FinFET транзисторов.

     Лидер в массовом производстве усовершенствованных FinFET полупроводников, компания Samsung еще в I квартале 2015 года объявила о запуске производства процессора Exynos 7 Octa на базе инновационной технологии 14-нм LPE (Low-Power Early). Разработка 14-нм технологии LPP второго поколения подтвердила технологическое лидерство Samsung в области разработки и производства полупроводников. Использование новой технологии обеспечило непревзойденную производительность и энергетическую эффективность нового процессора Exynos 8 Octa, а также множества других продуктов, разработанных партнерами и выпускающимися по технологии Samsung FinFET. Среди них процессор Qualcomm® Snapdragon™ 820 от Qualcomm Technologies, который будет применяться в мобильных устройствах уже в первой половине 2016 года.

     «Мы рады начать выпуск продукции по нашей передовой 14-нм технологии FinFET второго поколения, обеспечивающей высочайший уровень производительности и энергоэффективности, — заявил исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу System LSI Business, Samsung Electronics, Чарли Бэи (Charlie Bae). — Samsung и далее будет сохранять звание технологического лидера, предлагая усовершенствованные варианты 14-нанометровой FinFET технологии».

     Внедрение трехмерной FinFET структуры в полупроводниковые устройства позволяет добиться значительного увеличения производительности при снижении потребления энергии. Новый 14-нанометровый LPP процесс обеспечивает увеличение скорости вычислений и снижение потребляемой мощности на 15% по сравнению с предыдущим технологическим процессом 14-нм LPE за счет более совершенной структуры транзисторов и оптимизации процессов. Кроме того, использование полностью обедненных FinFET транзисторов предоставляет дополнительные преимущества при производстве и открывает большие возможности для масштабирования.

     Благодаря превосходным характеристикам 14-нм FinFET технология является оптимальной для решений в области мобильной связи и интернета вещей и позволяет удовлетворить растущий спрос в высокопроизводительных и энергоэффективных устройствах с самым широким спектром применения – от сетевой инфраструктуры до автомобильной электроники.

----

Цифровизация 2023: что это такое

Цифровизация 2023: что это такое. Статья Владислава Боярова. 09.03.2023 г.

Галопом по вычислительным Европам. Часть 6. Спецпроцессоры.

Галопом по вычислительным Европам. Часть 6. Спецпроцессоры. Часть 5. Память. Статья Ильи Вайцмана. 15.03.2023 г.

«Домашний компьютер». Конкурс в Самаре.

«Домашний компьютер». Конкурс в Самаре.

Blood, Sweat & Tears, или Кровь, пот и слёзы – часть третья, объединительная

ИТ-Перестройка-2023 от OCS

ИТ-Перестройка-2023 от OCS. Статья Владислава Боярова. 10.03.2023 г.