Samara Portal Technology, Computers

Самарский портал "Технологии, компьютеры"

Samsung Electronics, мировой лидер в сфере полупроводниковых технологий, объявляет о начале массового производства микросхем с применением усовершенствованного 14-нанометрового технологического процесса LPP (Low-Power Plus). Это второе поколение 14-нм технологии изготовления FinFET транзисторов.

     Лидер в массовом производстве усовершенствованных FinFET полупроводников, компания Samsung еще в I квартале 2015 года объявила о запуске производства процессора Exynos 7 Octa на базе инновационной технологии 14-нм LPE (Low-Power Early). Разработка 14-нм технологии LPP второго поколения подтвердила технологическое лидерство Samsung в области разработки и производства полупроводников. Использование новой технологии обеспечило непревзойденную производительность и энергетическую эффективность нового процессора Exynos 8 Octa, а также множества других продуктов, разработанных партнерами и выпускающимися по технологии Samsung FinFET. Среди них процессор Qualcomm® Snapdragon™ 820 от Qualcomm Technologies, который будет применяться в мобильных устройствах уже в первой половине 2016 года.

     «Мы рады начать выпуск продукции по нашей передовой 14-нм технологии FinFET второго поколения, обеспечивающей высочайший уровень производительности и энергоэффективности, — заявил исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу System LSI Business, Samsung Electronics, Чарли Бэи (Charlie Bae). — Samsung и далее будет сохранять звание технологического лидера, предлагая усовершенствованные варианты 14-нанометровой FinFET технологии».

     Внедрение трехмерной FinFET структуры в полупроводниковые устройства позволяет добиться значительного увеличения производительности при снижении потребления энергии. Новый 14-нанометровый LPP процесс обеспечивает увеличение скорости вычислений и снижение потребляемой мощности на 15% по сравнению с предыдущим технологическим процессом 14-нм LPE за счет более совершенной структуры транзисторов и оптимизации процессов. Кроме того, использование полностью обедненных FinFET транзисторов предоставляет дополнительные преимущества при производстве и открывает большие возможности для масштабирования.

     Благодаря превосходным характеристикам 14-нм FinFET технология является оптимальной для решений в области мобильной связи и интернета вещей и позволяет удовлетворить растущий спрос в высокопроизводительных и энергоэффективных устройствах с самым широким спектром применения – от сетевой инфраструктуры до автомобильной электроники.

OSS-2017 от OCS в Самаре

OSS-2017 от OCS в Самаре. Статья Владислава Боярова

USB Type-C: кабелиные страсти

USB Type-C: кабелиные страсти. Статья Владислава Боярова